海信家电申请半导体装置专利,提升半导体装置的电路稳定性和可靠性
  • 来源:互联网
  • 发布时间:2026-04-03 08:42:32

金融界2023年12月13日消息,据国家知识产权局公告,海信家电集团股份有限公司申请一项名为“半导体装置“,公开号CN117219663A,申请日期为2023年8月。

专利摘要显示,本发明公开了一种半导体装置,半导体装置包括:第一导电类型的漂移层;第二导电类型的体层,第二导电类型的体层设置于第一导电类型的漂移层的一侧;第一导电类型的场截止层,第一导电类型的场截止层设置于第一导电类型的漂移层的另一侧;第一导电类型的浮置层,第一导电类型的浮置层设置于第一导电类型的漂移层内。由此,通过在第一导电类型的漂移层内设置第一导电类型的浮置层,可以在减小漂移层厚度,以降低半导体装置的正向导通压降的前提下,可以有效抑制电压尖峰,以及可以防止电压和电流的振荡,可以提升半导体装置的电路稳定性和可靠性。

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