金融界2023年12月13日消息，据国家知识产权局公告，海信家电集团股份有限公司申请一项名为“半导体装置“，公开号CN117219663A，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；第二导电类型的体层，第二导电类型的体层设置于第一导电类型的漂移层的一侧；第一导电类型的场截止层，第一导电类型的场截止层设置于第一导电类型的漂移层的另一侧；第一导电类型的浮置层，第一导电类型的浮置层设置于第一导电类型的漂移层内。由此，通过在第一导电类型的漂移层内设置第一导电类型的浮置层，可以在减小漂移层厚度，以降低半导体装置的正向导通压降的前提下，可以有效抑制电压尖峰，以及可以防止电压和电流的振荡，可以提升半导体装置的电路稳定性和可靠性。

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